近期，本实验室与西安电子科技大学魏志义教授、王军利副教授课题组合作，采用0.8微米飞秒激光（50fs，1KHz，单脉冲能量0.5-14.9mJ）在 Tm3+离子掺杂的 75GeS2-15Ga2S3-10CsI硫系玻璃表面内部100mm处中成功直写单模硫系波导。当脉冲能量为0.86mJ，刻写速度为100mm/s下，波导最低损耗为0.86dB/cm，近场光强测试表明在1039nm波长下为单模工作模式。
 以上研究工作发表在IEEE Photonics Technology Letter DOI (identifier) 10.1109/LPT.2014.2365619。

图1 不同脉冲能量飞秒激光下刻写的单线波导（波导长度为1.75mm）（a）0.548mJ；（b）0.981mJ；
（c）2.1mJ；（d）3.010mJ；（e）4.010mJ；（f）5.210mJ

图2 不同飞秒激光直写速度下波导在1039nm处的损耗