相变存储器（PCRAM）具有高速、高密度、低功耗及与CMOS工艺兼容等优点而被国际上公认为最具潜力的下一代非易失性存储器之一。针对目前传统的Ge₂Sb₂Te₅相变材料存在的非晶态热稳定性差、结晶速率慢及晶态电阻低等问题，提出了Zn-Sb-Te材料体系材料热学和电学特性研究，发现了Zn在较大掺杂范围内（<29.67at%）线性地提高了Sb₂Te的结晶温度， 且保持>10⁵的非晶和晶态电阻比和较快的析晶速率（如图1）所示，这对降低PCRAM的RESET电流和提高数据保持力非常关键。发现Zn_26.07(Sb₂Te)_73.93和Zn_29.677(Sb₂Te)_70.33薄膜的10年数据保持温度为138.7和161°C，远高于Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜的88.9°C。利用XRD、Raman、XPS和TEM等测试分析，确认均匀析出晶粒相的Sb₂Te （图2），Zn分别与Sb和Te成键形成非晶结构。该成果发表在国际著名期刊Appl.Phys.Lett.,102,131902 (2013)，全文链接：http://dx.doi.org/10.1063/1.4799370

图1 Zn_x(Sb₂Te)_1-x薄膜 (a)电阻与温度的关系； (b)10年数据保持力及晶化激活能与温度的关系；

图2  Zn_26.07（Sb₂Te）_73.93样品经300度热处理后的（a）透射电镜图，（b）选区衍射图，（c）和（d）高分辨透射电镜图