2018年11月13-18号德国莱布尼茨表面改性研究所Andriy Lotnyk博士应邀来我室访问，并在高研院228会议室做题为“ Epitaxial chalcogenide-based thin films and heterostructures: growth, microstructure, optical properties and switching”的学术报告。报告详细介绍其课题组利用PLD方法制备外延薄膜、相变微结构及原子成像分布等领域内的最新进展，围绕着传统Ge-Sb-Te薄膜材料在激光和热处理后结构的演变行为方面展开学术报告：1、外延制备传统Ge-Sb-Te材料的先进工艺方法，2、亚稳相结构的原子排布情况，3、高密度存储材料的多阶结构演变，4、超晶格材料的相变行为等四个主题。会后，Andriy博士参观了薄膜制备实验室与分析测试中心，并表示以后将与本实验室开展超晶格薄膜研发等相关合作研究。