近日，我室硕士生章叶挺（第一作者）和焦清副研究员（通信作者）在Journal of the American Ceramic Society期刊上发表了题为“Effective ionic transport in Agl-based Ge(Ga)-Sb-S chalcogenide glasses”的论文。（Journal of the American Ceramic Society，2019；https://doi.org/10.1111/jace.16729)

      卤化物掺杂的硫系玻璃是一种重要的材料，在电学，光学等领域都拥有非常广泛的研究及应用前景。其在离子导电的固体电解质中更是有着巨大的研究空间。在已有的研究中，不仅已经发现了其相比于现在商用的液态电解质有着更加可靠的热稳定性，化学稳定性等安全性能。而且，近年来在电导率方面也是有着巨大的提升。然而，对于离子的导电机理却没有非常详细的描述，因此，基于Ge2S-Ga2S3-Sb2S3-AgI玻璃体系，对其导电机理进行的研究。通过调节Ge2S和Ga2S3的比例，研究其网络架构，及导电离子通道的变化。通过Raman光谱对其网络结构的分析，可以发现由于Ga离子在网络结构中拥有两种配位结构，在高Ga离子浓度的样品中，可以明显看出[S3Ga-GaS3],而在高Ge离子浓度下，这种结构几乎不可见，并且电导率有着显著的提升，而Ga和Ge构成的结构是导电离子通道中重要组成部分，其连接了由[SbS3-xIx]组成的链状结构。因此我们可以的出在类似Ge2S-Ga2S3-Sb2S3-AgI玻璃的离子通道中，正四面体作为连接体相比于类乙烷结构更利于离子导电。

Ge-Ga-Sb-S-AgI玻璃的拉曼光谱

                 阻抗谱