2019年12月1日，深圳大学材料学院饶峰特聘教授来我室访问，并作题为“Designing superior phase-change materials for universal memory and neuro-inspired computing”的学术报告。饶教授从高速缓存Cache型、低功耗与长寿命的相变存储器对相变存储材料的性能要求入手，着重介绍了高性能缓存型超快（亚纳秒级）相变存储材料ScSbTe的研究，指出降低晶体成核随机性可实现亚纳秒数据存储，突破相变存储速度极限。其次详细介绍了相变存储材料的液-液转变机制，指出过冷液相在淬火过程中，经历此结构转变（LLPT）后，原子间电子局域化程度增强，致使液相体系更加粘滞（原子迁移受阻）：即LLPT之前高温的脆性（fragile）液相转变为LLPT之后低温的刚性（strong）液相，证实此LLPT正是过冷液相动力学转变的结构诱因，发生了Fragile-to-strong crossover。此外，提出了一种新式的相变异质结设计，该相变异质结器件在迭代擦除操作时可实现9个稳定的多态存储（各电阻态阻值漂移系数小于~0.005，远低于锗锑碲器件的~0.11），并在累积写入操作时器件电导呈现高一致性（波动小于9%，而锗锑碲器件波动则超过40%）。降低相变存储器件数据态的阻值波动和漂移。这些研究有助于加快发展基于相变存储器的高性能通用型存储器与类脑神经元计算器件。报告结束后，饶老师还耐心解答了在场师生的提问，在座师生受益匪浅。交流期间，饶老师还参观了我室分析测试中心、薄膜制备沉积实验室、光纤研制以及器件组装实验室等，并表示希望以后在薄膜材料超快结晶动力学及超晶格器件方面开展合作研究。

饶峰，博士，深圳大学材料学院特聘教授。在Science、Nature Communications、Nano Research等知名期刊发表第一作者及通讯作者署名SCI论文40余篇，总SCI论文90余篇；获中国授权发明专利43项（美国专利2项），其中第一发明人授权专利7项（美国专利1项）；Scientific Reports杂志特邀编辑。曾获得中科院院长优秀奖、中科院优秀博士学位论文奖、全国百篇优秀博士论文提名奖、上海市青年科技启明星、中科院青年创新促进会首批会员、中科院卢嘉锡青年人才奖等荣誉。主持中国科学院战略性先导科技专项（A类）子课题、国家自然科学基金优秀青年科学基金项目、上海市青年科技启明星计划项目、国家自然科学基金青年科学基金项目、广东省基础重大研究项目、深圳市基础研究学科布局、自由探索项目各一项；作为研究骨干，参加国家重大科学研究计划项目（A类）、国家科技重大专项项目等四项。