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基于双去皮挤压法的低损耗硫系光纤制备
作者: irglass 时间: 2020-08-30 浏览:395 次

       近日,我室硕士生钟明辉(第一作者)和王训四研究员(通讯作者)在JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY期刊上发表了题为“Low-loss Chalcogenide Fiber prepared by double Peeled-off Extrusion”的论文。(JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY. 2020, 38(16),4533-4539) https://doi.org/10.1109/JLT.2020.299229

       为了进一步去除硫系光纤中的气泡,氧化物,颗粒缺陷,在隔离挤压法的基础上,我们提出了一种双去皮挤压法,制备出低损耗Ge-As-Se光纤。相对于隔离挤压法,双去皮挤压法制备的光纤缺陷更少,光纤损耗更低,对光的束缚能力更强。测量得到光纤在5.5-8.2μm波段平均损耗低于1dB/m,在6.3μm处达到最低损耗0.2dB/m。通过OPA 激光泵浦长度为18cm光纤,获得SC谱展宽输出最大为1.4-13.7mm。在-10dB处,SC谱展宽从3.3-12.2μm,SC的平坦度达到72.4%,在Se基硫系光纤中达到最高的SC平坦度。

图1 双去皮挤压法

图2: 隔离挤压法和双去皮挤压法制备光纤的光斑及端面对比

图3:隔离挤压法光纤损耗(fiber I)和双去皮挤压法制备的光纤损耗(fiber II)