2020年12月7日下午，中国科学院物理研究所陈佳宁研究员应邀到我室学术交流访问并在高等技术研究院238会议室作了题为《近场成像与光谱技术在半导体等离激元研究中的应用》的专题报告。此次报告陈研究员首先介绍近场光学显微镜的特点与优势，然后回顾低维纳米材料等离激元研究工作上的进展如石墨烯、碳纳米管。其中包含对等离激元的电学调控、缺陷的影响、二维平面内的波前操纵、等离激元与衬底声子耦合、二维材料层间电声耦合、边界电子态的作用等方面。之后陈老师还介绍了从实空间在传统的III-V族半导体纳米线上观测到低损耗传播的等离激元，以及其与纳米线几何尺寸、周围介电环境的关系。在传统半导体材料中观测到低损耗等离激元的意义在于证明了只要能够有效的对半导体进行参杂，即可在半导体材料中实现与金属类似的等离激元的传播。陈研究员的精彩报告受到了与会人员的热烈称赞，大家踊跃提问，陈研究员也认真地回答了与会人员的提问。会后，陈研究员参观了我室飞秒激光实验室及分析测试中心，并与我室相关研究人员就半导体激光与物质相互作用等方面展开了进一步深入讨论，同时希望将来开展该方面研究合作。

个人简介：陈佳宁研究员，中科院特聘研究员，博士生导师。先后毕业于大连理工大学应用物理专业学士，大连理工大学凝聚态物理博士。之后在瑞典隆德大学和西班牙国家科研委员会从事博后工作。2013年至今为中国科学院物理研究所研究员。获得中国科学院卢嘉锡青年人才奖，中国光学学会饶裕泰基础光学奖。现任中国科学院大学岗位教授，科技部重点研发计划首席科学家，中国光学学会理事，中国物理学会光物理专业委员会秘书长，中国青年科技工作者协会会员。部分工作收录在Nature、Science、Advanced Materials、Nature Communications、Nano Letters、Small、Physical Review Letters等期刊。单篇最高引用1077次。