2023年12月4日下午，德国莱布尼茨表面改性研究所Andriy Lotnyk教授及长江存储冯金龙博士应邀来我室进行学术交流，并在高等技术研究院238会议室分别作了题为《Atomic scale changes and crystallization behaviors of phase change memory thin films》和《Stickier-surface Sb2Te3 templates enable fast memory switching of GeSb2Te4 with growth-dominated crystallization》的学术报告。Andriy Lotnyk教授报告详细介绍其课题组利用PLD方法制备外延薄膜、相变微结构及原子成像分布等领域内的最新进展，围绕着传统Ge-Sb-Te薄膜材料在激光和热处理后结构的演变行为方面展开学术报告：1、外延制备传统Ge-Sb-Te材料的先进工艺方法，2、亚稳相结构的原子排布情况，3、高密度存储材料的多阶结构演变，4、超晶格材料的相变行为等四个主题。冯博士主要介绍了基于Sb2Te3模板构建多周期相变薄膜及存储器件的研究进展。会后，Andriy和冯博士参观了薄膜制备实验室与分析测试中心，并表示以后将与本实验室开展多周期相变薄膜研发等相关合作研究。我室部分师生参加此次报告会并在会后与两位老师进行了深入讨论。