信息与通信工程专业博士，助理研究员，安徽亳州人
邮箱：zhangzheng@nbu.edu.cn
2025.10-至今：宁波大学，红外材料及器件实验室，助理研究员；
2021.09-2025.05：宁波大学，信息与通信工程，工学博士；
2017.09-2020.06：宁波大学，通信与信息系统，工学硕士；
2013.09-2017.06：宁波大学，通信工程，工学学士；
工作简述
主要从事非晶氧化物薄膜材料制备与光子器件研究，包括片上掺杂稀土放大器、片上超连续光谱以及片上微腔传感等。在Adv. Photonics、J. Light. Technol. Opt. Lett. 等期刊发表论文十余篇，其中SCI/EI论文15篇（一作5篇、共同一作1篇、二作3篇、合作6篇），专利2篇，主持校级科技创新重点项目1项。
[1] Zhang Z, Liu R, Wang W, et al. On-chip Er-doped Ta2O5 waveguide amplifiers with a high internal net gain[J]. Optics Letters, 2023, 48(21): 5799-5802. (第一作者，SCI)
[2] Zhang Z, Xia K, He X, et al. 2.5-Octave supercontinuum generation in a Ta2O5 waveguide pumped by a dual-wavelength fiber laser[J]. Journal of Lightwave Technology, 2025, 43(3): 1387-1393. (第一作者，SCI)
[3] Zhang Z, Sun Y H, Yang Z, et al. Photo-induced effects in Ge-Ga-Se films[J]. Chalcogenide Letters, 2023, 20(7): 507-514. (第一作者，SCI)
[4] Zhang Z, Xu S, Chen Y, et al. Photo-induced effects in Ge-As-Se films in various states[J]. Optical Materials Express, 2020, 10(2): 540-548. (第一作者，SCI)
[5] He X, Zhang Z, Ma D, et al. Erbium-doped/erbium-ytterbium co-doped waveguide amplifiers in silicon-based optoelectronics: recent progress[J]. Advanced Photonics, 2025, 7(6): 064001-064001. (共同一作，SCI)
[6] Liu R, Zhang Z, Yang Z, et al. Erbium-doped Ga2O3 waveguide for optical amplification[J]. Applied Physics Letters, 2023, 123(15): 151109. (第二作者，SCI)
[7] Yang Z, Zhang Z, Chen P, et al. High Quality Factor, High Sensitivity Ta2O5 Microring Resonator for Biochemical Sensing[J]. Journal of Lightwave Technology, 2025, 43(22): 10322-10327. (第二作者，SCI)
[8] 刘瑞雪, 张政, 邬健, 等. 用于光放大的掺铒 Ga2O3 波导研究[J].光子学报, 2023, 52(8): 0823003-0823003-8. (第二作者，EI)
[9] 何希文, 马德岳, 张政, 等. 基于分段级联多模干涉的 Ta2O5 980/1550 nm 波分复用/解复用器[J]. 物理学报, 2025, 74(2): 024202-1-024202-8. (共同作者，SCI)